一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置

申请公布号：

CN102465335A

申请号：

CN201010549563.8

申请日期：

2010.11.18

申请公布日期：

2012.05.23

申请人：

南京大学

发明人：

修向前;张荣;谢自力;华雪梅;韩平;陆海;顾书林;施毅;胡立群;郑有炓

分类号：

C30B25/10(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I

主分类号：

C30B25/10(2006.01)I

代理机构：

南京天翼专利代理有限责任公司 32112

代理人：

黄明哲

地址：

210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

摘要：

一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置，包括射频加热器和石墨套筒，石墨套筒设置在射频加热器的感应加热线圈中，石墨套筒的内壁和外壁包覆有导热非易燃绝缘层，并置于惰性气体环境中。本发明采用射频加热石墨套筒的方式，可以快速升降温，具有节能，使用寿命长，无需维修等优点。由于感应线圈可以做大直径，因而可以加热大尺寸的石墨套筒来实现大面积反应腔体的快速加热。

主权项：

一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置，其特征是包括射频加热器和石墨套筒，石墨套筒设置在射频加热器的感应加热线圈中，石墨套筒的内壁和外壁包覆有导热非易燃绝缘层，并置于惰性气体环境中，热壁外延生长系统的生长恒温区在石墨套筒内，通过石英管或者刚玉管与石墨套筒及射频加热器分隔开。