功率二极体制成方法及其装置
- 申请公布号：
- TW200540994
- 申请号：
- TW093116221
- 申请日期：
- 2004.06.04
- 申请公布日期：
- 2005.12.16
- 申请人：
- 朋程科技股份有限公司
- 发明人：
- 沈长庚
- 分类号：
- H01L21/328
- 主分类号：
- H01L21/328
- 代理人：
- 谢宗颖;王云平
- 地址：
- 桃园县芦竹乡南崁路2段12号
- 摘要：
- 一种功率二极体制成方法及其装置，特别是指一种用以清除半导体元件(尤指功率二极体)之P–N接面暴露于外之部分的制成方法及其装置。其中，该装置系包括：一反应室，其系具有一气体喷入口，而该反应室之内部系形成一封闭之空间，该功率二极体系设置于该反应室中；一电浆产生器，其系用以将一蚀刻气体离子化，以产生自由基及离子，该电浆产生器系与该反应室的气体喷入口连接，以将离子化之蚀刻气体喷入该反应室；及一遮蔽钣，其系设于该反应室内，且面对于该气体喷入口，以于该反应室内形成一蚀刻气体之浓度分布及一气体流向，以蚀刻该P–N接面之侧向暴露面。