HALBLEITERANORDNUNG MIT EINEM BIPOLAREN TRANSISTOR UND EINEM MOS-TRANSISTOR UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG.
- 申请公布号：
- DE3671326(D1)
- 申请号：
- DE19863671326
- 申请日期：
- 1986.02.17
- 申请公布日期：
- 1990.06.21
- 申请人：
- STC PLC, LONDON, GB
- 发明人：
- SCOVELL, PETER DENIS;BAKER, ROGER LESLIE, CHELMSFORD ESSEX, GB;BLOMLEY, PETER FRED, BISHOPS STORTFORD HERTFORDSHIRE, GB
- 分类号：
- H01L27/092;H01L21/331;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/8249;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/73;H01L29/732;(IPC1-7):H01L27/06;H01L21/82;H01L29/04;H01L29/72
- 主分类号：
- H01L27/092
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