DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMICONDUCTEURS AYANT UN CONDENSATEUR DE TYPE EN ARBRE
- 申请公布号：
- FR2752488(A1)
- 申请号：
- FR19970005111
- 申请日期：
- 1997.04.25
- 申请公布日期：
- 1998.02.20
- 申请人：
- UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION
- 发明人：
- CHAO FANG CHING
- 分类号：
- H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108
- 主分类号：
- H01L27/04
- 摘要：
- <P>Un condensateur de stockage pour un dispositif de mémoire comprend une électrode de stockage comportant une couche conductrice en forme de tronc (34a) et au moins une couche conductrice en forme de branche (28a). La couche conductrice en forme de tronc est connectée à l'une des régions de source/drain (16a) du transistor de transfert dans le dispositif et elle s'étend de façon pratiquement verticale. Une couche diélectrique (36a) est formée sur les surfaces à nu des couches conductrices en forme de tronc et en forme de branche, et une couche conductrice de recouvrement (38) est formée sur la couche diélectrique pour constituer une électrode opposée du condensateur.</P>
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