具有高电阻缓冲层的发光组件

申请公布号：

CN1649177A

申请号：

CN200410002420.X

申请日期：

2004.01.29

申请公布日期：

2005.08.03

申请人：

晶元光电股份有限公司

发明人：

周铭俊;金明达

分类号：

H01L33/00

主分类号：

H01L33/00

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

地址：

台湾省新竹市新竹科学工业园区

摘要：

一种具有高电阻缓冲层的发光组件，其包含形成于第一电极上之基板，形成于基板上之第一束缚层，形成于第一束缚层上之活性层，形成于活性层上之第二束缚层，形成于第二束缚层上之高电阻缓冲层，形成于高电阻缓冲层上之接触层，用以提供一欧姆接触(ohmic contact)，形成于接触层上之导电透光氧化层，以及一电流阻隔区。其中高电阻缓冲层之电阻大于第二束缚层之电阻，使得流经高电阻缓冲层之电流能维持其水平方向之分散度。

主权项：

1.一种具有高电阻缓冲层的发光组件，包括：一基板；一第一束缚层，形成于该基板上；一活性层，形成于该第一束缚层上；一第二束缚层，形成于该活性层上；一高电阻缓冲层，形成于该第二束缚层上，其中该缓冲层之电阻大于该第二束缚层之电阻；一接触层，形成于该高电阻缓冲层上；一透明导电层，形成于该接触层上；以及电极。