集成电路或分立元件平面凸点式封装工艺

申请公布号：

CN100359655C

申请号：

CN200510040262.1

申请日期：

2005.05.27

申请公布日期：

2008.01.02

申请人：

江苏长电科技股份有限公司

发明人：

王新潮;于燮康;梁志忠;谢洁人;陶玉娟;葛海波;王达

分类号：

H01L21/50(2006.01)

主分类号：

H01L21/50(2006.01)

代理机构：

江阴市同盛专利事务所

代理人：

唐纫兰

地址：

214431江苏省江阴市滨江中路275号

摘要：

本发明涉及一种集成电路或分立元件平面凸点式封装工艺，包括以下工艺步骤：取金属基板材(1)，在基板的两面各自贴上干膜层(2、3)，在基板(1)的两面对应去除部分干膜，在基板上准备形成基岛及引脚，在基板上准备形成基岛及引脚区域的两面都镀上金属层，去除基板正面余下的干膜，半蚀刻，在基板(1)上形成凹陷的半蚀刻区(1.3)，同进相对形成基岛(1.1)及引脚(1.2)，去除基板背面余下的干膜，在基岛正面金属层植入芯片(7)，打金属线(8)，包封塑封体(9)，正面打印(10)，半蚀刻区(1.3)余下部分金属(1.4)再次进行蚀刻，塑封体正面贴上胶膜(11)，切割。本发明焊性能力强、品质优良、成本较低、生产顺畅、适用性较强、多芯片排列灵活、不会发生塑封料渗透的种种困扰。

主权项：

1、一种集成电路或分立元件平面凸点式封装工艺，其特征在于它包括以下工艺步骤：——取一片金属基板(1)，——在金属基板(1)的两面各自贴上干膜层(2、3)，——在金属基板(1)的两面对应去除部分干膜，在金属基板(1)上准备形成基岛及引脚，——在金属基板(1)上准备形成的基岛及引脚区域的两面都镀上金属层(4.1、4.2、5.1、5.2)，——去除金属基板(1)正面余下的干膜，——对上道工序中去除干膜的区域进行半蚀刻，在金属基板(1)上形成凹陷的半蚀刻区(1.3)，同时相对形成基岛(1.1)及引脚(1.2)，——去除基板背面余下的干膜，——在金属基板(1)的基岛(1.1)正面金属层(4.1)上进行芯片(7)的植入，制成集成电路或分立元件的列阵式集合体半成品，——将已完成芯片植入作业的半成品进行打金属线(8)作业，——将已打线完成的半成品正面进行包封塑封体(9)作业，并进行塑料包封后固化作业，——将已完成塑料包封及后固化作业的半成品，进行正面打印(10)作业，——在金属基板(1)的背面对不被金属层覆盖的区域即半蚀刻区(1.3)余下部分的金属(1.4)再次进行蚀刻，从而使基岛(1.1)及引脚(1.2)的背面凸出于塑封体(9)，——将塑封体(9)正面贴上胶膜(11)，——对已贴上胶膜的半成品进行切割作业，使原本以列阵式集合体方式连在一起的芯片一颗颗独立开来，——将完成切割的产品利用取放转换设备将单颗集成电路或分立元件的塑封体吸出胶膜。