半导体装置之制造方法

申请公布号：

TW200939349

申请号：

TW097143020

申请日期：

2008.11.07

申请公布日期：

2009.09.16

申请人：

三菱电机股份有限公司

发明人：

樽井阳一郎;大塚健一;铃木洋介;胜臣;金本恭三;大石敏之;德田安纪;大森达夫

分类号：

H01L21/321(2006.01);H01L21/768(2006.01)

主分类号：

H01L21/321(2006.01)

代理人：

洪澄文

地址：

日本

摘要：

〔课题〕提供一种可减低对于p型氮化物半导体层之欧姆电极的接触电阻，而且可实现长期稳定进行动作的半导体装置之制造方法。〔解决手段〕在电极形成步骤中，在p型GaN接触层7上依序形成属于第1p型欧姆电极10的Pd膜及属于第2p型欧姆电极11的Ta膜，当形成以由Pd膜及Ta膜所成的金属膜所构成的p型欧姆电极时，以在金属膜中含有氧原子方式来形成金属膜。如上所示在金属膜中存在有氧原子的状态下，将以金属膜所构成的p型欧姆电极，在热处理步骤中，在未含有含氧原子之气体的环境下进行热处理。