半导体装置之制造方法
- 申请公布号:
- TW200939349
- 申请号:
- TW097143020
- 申请日期:
- 2008.11.07
- 申请公布日期:
- 2009.09.16
- 申请人:
- 三菱电机股份有限公司
- 发明人:
- 樽井阳一郎;大塚健一;铃木洋介;胜臣;金本恭三;大石敏之;德田安纪;大森达夫
- 分类号:
- H01L21/321(2006.01);H01L21/768(2006.01)
- 主分类号:
- H01L21/321(2006.01)
- 代理人:
- 洪澄文
- 地址:
- 日本
- 摘要:
- 〔课题〕提供一种可减低对于p型氮化物半导体层之欧姆电极的接触电阻,而且可实现长期稳定进行动作的半导体装置之制造方法。〔解决手段〕在电极形成步骤中,在p型GaN接触层7上依序形成属于第1p型欧姆电极10的Pd膜及属于第2p型欧姆电极11的Ta膜,当形成以由Pd膜及Ta膜所成的金属膜所构成的p型欧姆电极时,以在金属膜中含有氧原子方式来形成金属膜。如上所示在金属膜中存在有氧原子的状态下,将以金属膜所构成的p型欧姆电极,在热处理步骤中,在未含有含氧原子之气体的环境下进行热处理。
Copyright Notice © 2009-2024 传众 版权所有