作为光储存材料之双层微影光阻之使用

申请号：

TW092135599

申请日期：

2003.12.16

申请公布日期：

2011.03.11

申请人：

皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人：

雷夫　寇特;安德烈　米吉利斯基

分类号：

G11B7/00

主分类号：

G11B7/00

代理人：

陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼

地址：

荷兰

主权项：

一种光资讯储存媒体(1)，包括：-一载体基板(5)，-一位于载体基板(5)上之反射资讯层(10)及包括至少一第一结构相位的第一无机材料之第一层(11)，及至少一第二结构相位的第二无机材料之第二层(12)，-在资讯层(10)曝露于第一电磁辐射后形成的合金内含物(6)及具有结构相位，包括第一结构相位的第一材料及至少第二结构相位的至少第二材料之混合物，其中该合金内含物的光性质不同于沉积资讯层的光性质致使为了反应第二电磁辐射照向该光资讯储存媒体(1)从合金内含物及从包括沉积资讯层的一区域反射电磁辐射分别产生调变以提供读出信号，其特征在于该储存媒体进一步包含至少一额外层(4)位于该载体基板与该至少第一层(11)之间，该至少一额外层(4)包含至少一子层，该子层系一金属。如申请专利范围第1项之媒体，其中该无机材料至少包括材料选择自以下成对材料群：As-Pb、Bi-Cd、Bi-Co、Bi-In、Bi-Pb、Bi-Sn、Bi-Zn、Cd-In、Cd-Pb、Cd-Sb、Cd-Sn、Cd-Ti、Cd-Zn、Ga-In、Ga-Mg、Ga-Sn、Ga-Zn、In-Sn、In-Zn、Mg-Pb、Mg-Sn、Mg-Ti、Pb-Pd、Pb-Pt、Pb-Sb、Sb-Sn、Sb-Ti、Se-Ti、Sn-Ti及Sn-Zn。如申请专利范围第1或2项之媒体，其中该无机材料至少包括材料选择自以下成对材料群：Bi-Co、Bi-In、Bi-Pb、Bi-Sn、Bi-Zn、Ga-In、Ga-Sn、In-Sn、In-Zn、Mg-Sn、Sb-Sn、Sn-Ti及Sn-Zn。如申请专利范围第1或2项之媒体，其中该无机材料至少包括Bi-In、Bi-Sn、In-Sn的组合。如申请专利范围第1或2项之媒体，其中各无机材料具有一复合折射率n±ik，其中n系该折射率的一真实部份，及k系该折射率的一虚拟部份，且其中选择该第二无机材料以具有该折射率的该真实部份低于该第一材料的折射率的该真实部份及该折射率的该虚拟部份高于该第一材料的折射率的该虚拟部份。如申请专利范围第1或2项之媒体，其中该第一无机材料形成第一层(11)为Bi而该第二无机材料形成第二层(12)为In或Sn，或其中该第一无机材料为Sn而该第二无机材料为In。如申请专利范围第1或2项之媒体，其中选择该等第一及第二层(11，12)之厚度致使由熔解及固化至少一部份的第一及第二层形成具有实质上最低熔点成分之合金。如申请专利范围第1项之媒体，其中该合金(6)或该沉积资讯层(10)对照向该媒体的第二电磁辐射系实质上为透明。如申请专利范围第8项之媒体，其中该至少一额外层(4)系调适成反射、吸收或扩散照向该额外层的第二电磁辐射。如申请专利范围第8或9项之媒体，其中该至少一额外层(4)包括至少一子层，包括一介电材料。如申请专利范围第8或9项之媒体，其中该至少一额外层(4)包括至少一透明间隔层。如申请专利范围第1项之媒体，其中该媒体进一步包括一保护覆盖层(3)。如申请专利范围第1或2之媒体，其中包括该合金的区域及包括该沉积层的区域之间反射电磁辐射的调变大于70%。如申请专利范围第1或2项之媒体，其中该调变系强度调变或相位调变。如申请专利范围第1或2项之媒体，其中该媒体符合CD及DVD标准。一种光学资讯储存媒体，包括：-一载体基板(5)，-一第一记录堆叠，包括：-一反射资讯层(10)，包括至少一第一结构相位的第一无机材料之第一层(11)，及至少一第二结构相位的至少一第二无机材料之第二层(12)，至少一额外层位于该载体基板与该至少第一层(11)之间，该至少一额外层(4)包含至少一子层，该子层系一金属，-形成于资讯层(10)中之合金内含物(6)且具有结构相位，包括第一结构相位的第一材料及至少第二结构相位的至少第二材料的混合物，-一分离层，-一第二记录堆叠实质上与第一记录堆叠相同。一种用于制造一光资讯储存媒体(1)之方法，该方法包括步骤：-提供一载体基板(5)，-藉由沉积至少一第一结构相位的第一无机材料之第一层(11)于载体基板上，且藉由沉积至少一第二结构相位的至少第二无机材料之至少第二层(12)于第一层上以提供一反射资讯层(10)，-提供至少一额外层(4)位于该载体基板与该至少第一层(11)之间，该至少一额外层(4)包含至少一子层，该子层系一金属，-选择该等至少第一及第二无机材料致使利用熔解及固化至少一部份的资讯层提供合金内含物(6)以形成结构相位，其具有包括第一结构相位的第一材料及第二结构相位的第二材料之混合物的结构相位。如申请专利范围第17项之方法，进一步包括资讯层曝露于预定图案至一第一电磁辐射以形成合金内含物于曝光资讯层内的步骤。一种由如申请专利范围第17至18项之方法制成之光资讯储存媒体。一种用于光学地读取如申请专利范围第1或2项之光资讯储存媒体之方法，该方法包括步骤：-发射电磁辐射朝向该光资讯储存媒体，-侦测因反应入射电磁辐射从光资讯储存媒体反射的电磁辐射内的相位或强度调变，致使由侦测的相位或强度调变提供沉积资讯层内合金内含物的图案。