一种改善超厚顶层金属诱导晶圆翘曲变形的方法

申请公布号：

CN102446845A

申请号：

CN201110384047.9

申请日期：

2011.11.28

申请公布日期：

2012.05.09

申请人：

上海华力微电子有限公司

发明人：

李磊;胡友存;姬峰;张亮;陈玉文

分类号：

H01L21/768(2006.01)I

主分类号：

H01L21/768(2006.01)I

代理机构：

上海新天专利代理有限公司 31213

代理人：

王敏杰

地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

摘要：

本发明公开了一种改善超厚顶层金属诱导晶圆翘曲变形的方法，通过改善超厚顶层金属诱导的晶圆扭曲变形，且不会恶化化学机械研磨工艺；此外工艺简单，能够完全兼容金属硬掩模部分沟槽优先铜双大马士革制造工艺，在半导体制造铜互连领域有着广泛的应用前景。

主权项：

一种改善超厚顶层金属诱导晶圆翘曲变形的方法，其特征在于，包括如下步骤，步骤一，在半导体基体上铜大马士革工艺形成金属层；步骤二，在所述金属层上依次淀积形成刻蚀阻挡层、介电层和金属硬掩模层；步骤三，旋涂光刻胶，通过金属层光掩模版光刻形成互连结构沟槽图形；步骤四，刻蚀所述金属硬掩模层至所述介电层，去除剩余光阻，在所述金属硬掩模层上形成互连结构沟槽开口；步骤五，旋涂光刻胶，通过通孔光掩模版光刻形成互连结构通孔图形和浅冗余结构图形；步骤六，部分刻蚀在介电层中形成适当深度部分互连结构通孔，在金属硬掩模上形成适当深度冗余结构沟槽，去除剩余光阻，金属硬掩模作掩模刻蚀，在介电层上形成金属互连结构沟槽及通孔和浅冗余结构沟槽；步骤七，淀积金属阻挡层和铜籽晶层；步骤八，电镀金属铜填满所述介电层中的所述通孔和所述沟槽；步骤九，通过化学机械研磨平坦化工艺，研磨至所述介电层上去除多余金属，形成超厚顶层金属层。