用于电压保护的结型场效晶体管

申请公布号：

CN103098209A

申请号：

CN201180043895.1

申请日期：

2011.08.15

申请公布日期：

2013.05.08

申请人：

美国亚德诺半导体公司

发明人：

E·莫尼克;E·J·考伊内;D·F·鲍维斯

分类号：

H01L27/02(2006.01)I

主分类号：

H01L27/02(2006.01)I

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

金晓

地址：

美国马萨诸塞州

摘要：

本发明公开了设备和方法，如涉及用于电压保护的结型场效晶体管的那些设备和方法。一种此类设备包括保护电路，所述保护电路包括输入端、输出端和JFET(300/600)。所述JFET具有电耦接至所述输入端的源极(340/640)和电耦接至所述输出端的漏极(360/660)，其中所述JFET具有量值大于2V的夹断电压(Vp)。所述设备进一步包括内部电路，所述内部电路具有被配置成接收来自所述保护电路的所述输出端的信号的输入端。所述保护电路对所述内部电路提供保护以防过压和/或欠压状况，同时与具有量值小于2V的Vp的JFET相比具有减小的尺寸。

主权项：

一种设备，其包括：保护电路，所述保护电路包括输入端、输出端和结型场效晶体管(JFET)(300/600)，所述JFET具有电耦接至所述输入端的源极(340/640)和电耦接至所述输出端的漏极(360/660)，其中所述JFET具有量值大于2V的夹断电压(Vp)；以及内部电路，所述内部电路具有被配置成接收来自所述保护电路的所述输出端的信号的输入端，其中所述内部电路和所述保护电路为集成电路的部分，其中所述保护电路被配置成保护所述内部电路以防过压和/或欠压状况。