一种制备钨通孔的方法

申请公布号：

CN103227146A

申请号：

CN201310120032.0

申请日期：

2013.04.08

申请公布日期：

2013.07.31

申请人：

上海华力微电子有限公司

发明人：

张明华;严钧华;黄耀东;方精训;彭树根

分类号：

H01L21/768(2006.01)I

主分类号：

H01L21/768(2006.01)I

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

竺路玲

地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

摘要：

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制备钨通孔的方法，通过采用氮化硅膜作为金属钨研磨工艺的停止层，以代替传统工艺中的氧化硅膜，由于在研磨工艺中氮化硅膜相对氧化硅具有更高研磨选择比，在完成钨金属研磨工艺后，使得晶圆的表面的厚度具有较好的均匀性，并通过后续高选择比湿法刻蚀工艺，将在钨金属研磨中产生的缺陷如晶圆表面的微划伤、残留的微粒等及剩余的氮化硅膜完全去除，使得在不同密度通孔区域形成的钨栓突出高度近似，便于后续工艺的进行，进而提高产品的良率。

主权项：

一种制备钨通孔的方法，其特征在于，包括以下步骤：于一半导体结构上沉积一氮化物膜，所述氮化物膜覆盖所述半导体结构的上表面；依次采用光刻、刻蚀工艺，回蚀所述氮化物膜至所述半导体结构中，于剩余的氮化物膜和剩余的半导体结构中形成多个通孔；制备粘着层和钨金属层充满所述通孔，并覆盖所述剩余的氮化物膜；继续研磨工艺，部分去除所述粘着层、钨金属层和所述剩余的氮化物膜；去除残余的氮化物膜，形成多个钨栓。