一种硅膜腐蚀厚度的控制方法

申请公布号：

CN103508409A

申请号：

CN201210204517.3

申请日期：

2012.06.20

申请公布日期：

2014.01.15

申请人：

无锡华润华晶微电子有限公司

发明人：

陈思奇;朱琳;王荣华

分类号：

B81C1/00(2006.01)I

主分类号：

B81C1/00(2006.01)I

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

臧霁晨;王忠忠

地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区信息产业科技园C座2楼

摘要：

本发明涉及一种硅膜腐蚀厚度的控制方法。该方法包括下述步骤：测试模块的形成步骤，在硅片正面作为测试模块形成具有规定深度的回形凹槽；腐蚀处理步骤，用腐蚀液对硅片从背面开始进行腐蚀；以及停止腐蚀步骤，当所述测试模块从所述硅片脱落时停止腐蚀，以使得测试模块的厚度为所述规定深度。利用本发明的硅膜腐蚀厚度的控制方法，能够精确地控制硅膜的厚度并且能够简化处理工艺、提高工艺效率。

主权项：

一种硅膜腐蚀厚度的控制方法，在晶片上预先形成硅膜而构成硅片，其特征在于，依次包括下述步骤：测试模块的形成步骤，在硅片正面形成具有规定深度的回形凹槽，由所述回形凹槽及该回形凹槽所包围的硅片形成所述测试模块；腐蚀处理步骤，用腐蚀液对硅片从背面开始进行腐蚀；以及停止腐蚀步骤，当所述测试模块从所述硅片脱落时停止腐蚀，以使得测试模块的厚度等于所述规定深度。