发光元件、发光装置及电子设备

申请公布号：

CN101667628B

申请号：

CN200910168681.1

申请日期：

2009.08.28

申请公布日期：

2014.01.29

申请人：

株式会社半导体能源研究所

发明人：

濑尾哲史;池田薰

分类号：

H01L51/50(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I

主分类号：

H01L51/50(2006.01)I

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

李玲

地址：

日本神奈川县

摘要：

本发明涉及发光元件、发光装置及电子设备。本发明提供一种发光元件，包括在阳极和阴极之间按顺序设置的第一层、第二层以及第三层。第一层为空穴传输性，第二层为双极性且第三层为电子传输性。第一层具有第一荧光化合物和空穴传输性的有机化合物，第二层具有磷光化合物和主体材料，第三层具有第二荧光化合物和电子传输性的有机化合物。另外，空穴传输性的有机化合物及电子传输性的有机化合物的三重激发能大于主体材料的三重激发能。通过采用上述结构的发光层，改善发光效率且可以获得耗电量低的发光元件。

主权项：

一种发光元件，包括：阳极；所述阳极上的第一层；所述第一层上的第二层；所述第二层上的第三层；以及所述第三层上的阴极，其中，所述第一层包括空穴传输性的有机化合物和第一荧光化合物，所述第二层包括主体材料和磷光化合物，所述第三层包括电子传输性的有机化合物和第二荧光化合物，并且，所述空穴传输性的有机化合物的三重激发能及所述电子传输性的有机化合物的三重激发能大于所述主体材料的三重激发能。