具有含低带隙包覆层之通道区的非平面半导体装置;NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CHANNEL REGION WITH LOW BAND-GAP CLADDING LAYER
- 申请公布号：
- TW201430918
- 申请号：
- TW102133555
- 申请日期：
- 2013.09.16
- 申请公布日期：
- 2014.08.01
- 申请人：
- 英特尔股份有限公司
- 发明人：
- 拉多撒福杰维克 马可;狄威 吉伯特;朱功 班杰明;巴苏 迪潘杰;珈纳 萨纳斯;苏利 沙亚斯;皮拉瑞斯提 拉维;穆可吉 尼洛依;陈汉威;乔 罗伯特
- 分类号：
- H01L21/28(2006.01);H01L29/78(2006.01)
- 主分类号：
- H01L21/28(2006.01)
- 代理人：
- <name>林志刚</name>
- 地址：
- INTEL CORPORATION 美国
- 摘要：
- 本发明说明具有含低带隙包覆层之通道区域的非平面半导体装置。例如,半导体装置包括配置在基板上之复数条奈米线的垂直配置。每一奈米线包括具有第一带隙的内区域以及围绕该内区域的一外包覆层。该包覆层具有较低之第二带隙。闸极堆叠系被配置在每一奈米线的通道区域上并且将它完全围绕。该闸极堆叠包括配置在该包覆层上并且围绕它的闸极介电层以及配置在该闸极介电层上的闸极电极。源极与汲极区域系被配置在该奈米线之通道区域的任一侧上。
Copyright Notice © 2009-2024 传众 版权所有