钼合金溅镀靶材的制造方法及钼合金溅镀靶材;MANUFACTURING METHOD OF MOLYBDENUM ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIALS AND MOLYBDENUM ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIALS
- 申请公布号：
- TW201441399
- 申请号：
- TW103104648
- 申请日期：
- 2014.02.13
- 申请公布日期：
- 2014.11.01
- 申请人：
- 日立金属股份有限公司
- 发明人：
- 村田英夫;上滩真史;井上惠介
- 分类号：
- C23C14/34(2006.01)
- 主分类号：
- C23C14/34(2006.01)
- 代理人：
- <name>詹铭文</name>
- 地址：
- 日本
- 摘要：
- 本发明提供一种可稳定且廉价地提供钼合金溅镀靶材的制造方法、以及新颖的钼合金溅镀靶材，上述钼合金溅镀靶材是低电阻、耐热性、耐湿性、与基板密着性亦优异，适合用于电极及配线薄膜之高密度、高纯度且非磁性的靶材。该制造方法包括以满足含有10原子%~49原子%的镍、1原子%~30原子%的钛、且镍与钛的合计量为50原子%以下，剩余部份包含钼及不可避免的杂质的组成，且钼粉末与至少1种或2种以上的镍合金粉末混合，继而加压烧结。上述钼合金溅镀靶材具有在钼的基质中分散着镍合金相的组织，以含有10原子%~49原子%的镍、1原子%~30原子%的钛、且镍与钛的合计量为50原子%以下，剩余部份包含钼及不可避免的杂质的组成。
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