打孔镉片补偿³He正比计数器中子能量响应的方法

申请公布号：

CN104516008A

申请号：

CN201310445518.1

申请日期：

2013.09.26

申请公布日期：

2015.04.15

申请人：

中国辐射防护研究院

发明人：

刘建忠;王勇;刘倍;徐园;刘惠英

分类号：

G01T1/18(2006.01)I

主分类号：

G01T1/18(2006.01)I

代理机构：

北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311

代理人：

田明;任晓航

地址：

030006 山西省太原市学府街102号

摘要：

本发明涉及一种打孔镉片补偿³He正比计数器中子能量响应的方法，属于辐射测量领域。现有的方法中，³He正比计数器在低能段的响应明显高于国际放射委员会（ICRP）74号出版物给出的注量剂量转换曲线，如不加以补偿，会给实际测量工作带来较大的误差。本发明所述的方法在³He正比计数器外包裹一层镉的薄片，所述的镉薄片表面打有一定数量的孔洞。采用本发明所述的方法能够实现低能补偿，有效改善³He正比计数器对低能中子的响应。

主权项：

一种打孔镉片补偿³He正比计数器中子能量响应的方法，包括以下步骤：在³He正比计数器外包裹一层镉的薄片，所述的镉薄片表面打有一定数量的孔洞。