METHOD OF MANUFACTURING A Ｓｉ（１－ｖ－ｗ－ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING AN EPITAXIAL WAFER, Ｓｉ（１－ｖ－ｗ－ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ SUBSTRATE, AND EPITAXIAL WAFER
- 申请公布号：
- KR101526632(B1)
- 申请号：
- KR20107020566
- 申请日期：
- 2009.04.17
- 申请公布日期：
- 2015.06.05
- 分类号：
- C23C14/06;C30B23/08;C30B29/38;H01L21/205
- 主分类号：
- C23C14/06
- 摘要：
- <p>본 발명은 크랙의 발생을 억제하며 가공성이 용이한 SiCAlN기재(基材)의 제조 방법, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법, SiCAlN기재 및 에피택셜 웨이퍼를 제공한다. SiCAlN기재(10a)의 제조 방법은 이하의 공정을 포함한다. 먼저, Si 기판(11)을 준비한다. 그리고, Si 기판 상에 SiCAlN층(0<v<1, 0<w<1, 0<x<1, 0<v+w+x<1)을 550℃ 미만의 온도에서 성장시킨다.</p>
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