一种晶圆选择性键合方法

申请公布号：

CN104909331A

申请号：

CN201410089051.6

申请日期：

2014.03.12

申请公布日期：

2015.09.16

申请人：

中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

发明人：

郭亮良;刘煊杰

分类号：

B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I

主分类号：

B81C1/00(2006.01)I

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号

摘要：

本发明提供一种晶圆选择性键合方法，该方法包括以下步骤：提供一上表面具有非键合区域的器件晶圆和一投影晶圆；刻蚀所述投影晶圆形成穿过其上下表面且垂直投影图形与所述非键合区域横截面图形形状及面积相同的通槽；将所述投影晶圆固定于所述器件晶圆上表面，使所述通槽的垂直投影图形与所述非键合区域对准；在所述投影晶圆上表面和非键合区域同时沉积保护层；剥离所述器件晶圆与投影晶圆，使所述器件晶圆的非键合区域形成保护层；提供一键合晶圆，将所述键合晶圆与具有保护层的非键合区域进行键合，形成所述器件晶圆非键合区域的选择性键合。采用本发明的晶圆选择性键合方法使得深度小于10微米的非键合区域可实现可选择性键合。

主权项：

一种晶圆选择性键合方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：（1）提供一器件晶圆和一投影晶圆，所述器件晶圆上表面具有非键合区域；（2）刻蚀所述投影晶圆，形成穿过所述投影晶圆上下表面且垂直投影图形与所述非键合区域横截面图形的形状及面积相同的通槽；（3）将所述投影晶圆固定于所述器件晶圆的上表面，使所述通槽的垂直投影图形与所述非键合区域对准；（4）在所述投影晶圆上表面以及通过所述通槽裸露的非键合区域同时沉积保护层；（5）将所述器件晶圆与所述投影晶圆剥离，使所述器件晶圆形成非键合区域具有保护层的待键合器件晶圆；（6）提供一键合晶圆，将所述键合晶圆与所述待键合器件晶圆的上表面进行键合，形成所述待键合器件晶圆非键合区域的选择性键合。