一种发光二极管的外延结构及其制作方法

申请公布号：

CN104701431B

申请号：

CN201510132505.8

申请日期：

2015.03.25

申请公布日期：

2017.03.29

申请人：

厦门市三安光电科技有限公司

发明人：

郑锦坚;寻飞林;伍明跃;郑建森;李志明;杜伟华;邓和清;周启伦;李水清;康俊勇

分类号：

H01L33/06(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I

主分类号：

H01L33/06(2010.01)I

地址：

361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号

摘要：

本发明公开了一种发光二极管的外延结构及其制作方法，采用量子点作为发光层多量子阱结构（MQW）的量子阱层，利用量子点的量子限制效应，可有效提升电子和空穴的复合效率；同时，在具有纳米级凹坑的量子垒层上设置纳米级金属反射层，可使MQW发出的光立即被反射至外延结构正面；此外，纳米级金属反射层可形成表面等离子体（suface plasmon），进一步提升出光效率。

主权项：

一种发光二极管的外延结构，包括：在衬底上依次设置有第一导电类型半导体层、发光层多量子阱结构和第二导电类型半导体层，其特征在于：所述发光层多量子阱结构从下至上依次包括：具有纳米级凹坑的第一量子垒层、形成于凹坑表面的纳米级金属反射层、形成于金属反射层表面的量子点作为量子阱层，以及覆盖于所述第一量子垒层、金属反射层和量子点之上的第二量子垒层。