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苏州氮化镓衬底材料生产商 非掺氮化镓晶片
苏州恒迈瑞材料科技生产供应10mm*10.5mm²方形氮化镓自支撑衬底片，衬底厚度350um±25um，掺杂类型分为N型非掺杂，硅掺杂及半绝缘型Fe铁掺杂。GaN氮化镓自支撑衬底晶片TTV≤10um，抛光类型可选单面抛光SSP或双面抛光DSP。
蓝宝石氮化镓衬底尺寸：4 inch 100mm±0.1mm 蓝宝石衬底厚度：650um 衬底结构：GaN-On-Sapphire 掺杂类型：N型非掺杂/N型硅掺杂/ 氮化镓外延厚度：4.5um±0.5um/ 20um±2um 晶向：C-plane(0001)A Axis 0.2±0.1° 位错密度：≤5x108cm-2 包装方式：晶圆盒或Cassette盒 抛光要求：单抛/双抛