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硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造（掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用 选用整流二极管时，主要应考虑其 大整流电流、 大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 二极管主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线。 ⒈正向特性 当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过数值后，管子才导通，电 二极管伏安特性曲线压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右