LEEG立格SMP858-NST单晶硅双远传差压变送器 【简介】 LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶，远离介质接触面，实现械隔离和隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活能与耐瞬变电压护的能力，可应对复杂的化学场合和械负荷，同时具备较强的抗电磁能力，适合苛刻的流程工业环境中压力、液位或流量测量应用。 【主要参数】 压力类型：差压 量程范围：10kPa-1MPa 输出号：4-20mA，4-20mA+HART、Modbus-RTU/RS485 参考精度：±0.2量程上限，可选±0.5量程上限 【技术参数】 标称量程：40kPa，250kPa，1MPa 典型精度：±0.2量程上限 年稳定：±0.2量程上限/5年 环境温度影响：在-20-80℃范围内总影响量为0.2量程上限/10k 点影响：±0.15TD%量程上限/4MPa 满量程影响：±0.2%量程上限/4MPa 电源影响：当供电电压在10.5/16.5-55VDC内变化，其点和量程的变化应不超过±0.005量程上限/V 安装位置影响：任何位置安装，不超过400Pa可通过清功能校正 振动影响：按GB/T1827.3/IEC61298-3测试，<0.1%量程上限 总阻尼时间常数：等于电子线路件和传感膜盒阻尼时间常数之和 电子线路件阻尼时间：0-100S范围可调 传感膜盒（隔离传感膜片和硅油填充液）阻尼时间：≤0.2S 断电后上电启动时间：≤6S 数据恢复至正常使用时间：≤31S 净重：约2.9kg 使用环境温度范围：-40-85℃，一体化LCD显示：-20-70℃ 储存环境温度范围：-40-110℃，一体化LCD显示：-40-85℃ 使用环境温度范围：0-95RH 防护等级：IP65 NEPSI：ExdII-6Gb（GYB16.1253X） 标准型：10.5-55VDC HART通讯协议：16.5-55VDC，通讯时负载电阻250Ω RS485：5-32VDC 负载电阻：0-2119Ω为工作状态，250-600Ω HART通讯 传输距离：<1000米 耗电量：≤500mV@24VDC，20.8mA 密封方式：不锈钢焊接密封 【输出方式】 4-20mA二线制，适用供电电压10.5-55VDC 4-20mA+HART二线制，适用供电电压16.5-55VDC Modbus-RTU/RS485，四线制适用供电电压5-32VDC 【电气连接】 电气连接：铝合金接线盒，两个出线口内螺纹M20*1.5，红色主体，白色壳盖 【出线保护件】 一端配M20*1.5防水接头，另一端配堵头，PVC材质，适用线径6-8mm，防护等级IP67 隔爆配置，一端配内螺纹1/2NPT，另一端配堵头，不锈钢材质，适用线径6-8mm，防护等级IP67 隔爆配置，一端配内螺纹M20*1.5，另一端配堵头，不锈钢材质，适用线径6-8mm，防护等级IP67